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材料分类:Silicon Carbide 属性分类:所有

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属性 Silicon Carbide
化学式 SiC
代码 C900
主要材料 Silicon Carbide
主要材料纯度
%
99
颜色 Black
密度
g/cm³
3.16
外观表证 Dense
维氏硬度
GPa
23
抗折强度
Mpa
480
弯曲强度
Mpa
600
抗压强度
Mpa
2000
断裂韧性
MPa m½
3
杨氏模量
GPa
420
泊松比 0.18
Abrasiveness Blast abrasion amount
μm
1.6
最高使用温度(氧化气氛)
°C
1450
Thermal expansion coefficient RT~200°C
*10^-6/°C
2.9
Thermal expansion coefficient RT~400°C
*10^-6/°C
3.7
Thermal expansion coefficient RT~600°C
*10^-6/°C
4.6
Thermal expansion coefficient RT~800°C
*10^-6/°C
5.0
热导率(室温)
W/mK
150
Specific heat RT
J/kg.K
660
Thermal Shock Resistance
°C
450
Dielectric strength
kV/mm
-
Volume resistivity 20°C
Ω.cm
1*10^6
Volume resistivity 500°C
Ω.cm
1*10^3
Dielectric loss 1MHz
*10^-4
-
Dielectric loss 3GHz
*10^-4
-
Dielectric constant 1MHz -
Dielectric constant 3GHz -
Permeability
Km
-
Susceptibility
Xm
-
20%盐酸(置入72小时)
WT Loss [mg/cm²/day]
0.0
盐酸 20% (置入24小时)
WT Loss [mg/cm²/day]
0.0
20%浓度硫酸(置入72小时)
WT Loss [mg/cm²/day]
0.0
20%浓度硫酸(置入24小时)
WT Loss [mg/cm²/day]
0.0
61%浓度硝酸(置入72小时)
WT Loss [mg/cm²/day]
0.0
61%浓度硝酸(置入24小时)
WT Loss [mg/cm²/day]
0.0
85%浓度磷酸(置入72小时)
WT Loss [mg/cm²/day]
0.0
85%浓度磷酸(置入24小时)
WT Loss [mg/cm²/day]
0.0
20%浓度烧碱(置入72小时)
WT Loss [mg/cm²/day]
0.0
20%浓度烧碱(置入24小时)
WT Loss [mg/cm²/day]
0.0
47%浓度氢氟酸(置入72小时)
WT Loss [mg/cm²/day]
0.0